Количество
|
Стоимость
|
||
|
Производитель | GIGABYTE |
Модель | M.2 2280 512GB |
Артикул | GP-GSM2NE3512GNTD |
Тип | внутренний |
Объём памяти | 512 GB |
Тип флеш-памяти | 3D TLC |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI-E 3.0 (x4) |
Скорость чтения, макс. | 1700 Mb/s |
Скорость записи, макс. | 1550 Mb/s |
Наработка на отказ | 1.5 млн.часов |
Габариты | 80 x 22 x 2.3 мм |
Страна производства | Тайвань |
Гарантия, мес | 36 |
Технология Host Memory Buffer
Средствами шины PCI Express технология Host Memory Buffer (HMB) обеспечивает прямой доступ к памяти в режиме DMA, что позволяет SSD-накопителю задействовать ресурсы установленной на ПК DRAM-памяти, в качестве альтернативы собственному DRAM-буферу.
Выдающаяся производительность
- Форм-фактор (габариты, мм): M.2 2280
- Интерфейс: PCI-Express 3.0 x4, NVMe 1.3
- Заявленная емкость: 512 Гбайт
- Скорость последовательного чтения: до 1700 Мбайт/с
- Скорость последовательной записи: до 1550 Мбайт/с
- Технология HMB (Host Memory Buffer)
- Поддержка TRIM и S.M.A.R.T